檢索結果：共6筆資料 檢索策略： "化學工程系".dept (精準) and ckeyword.raw="奈米線"
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在本研究中所探討的四元化合物半導體材料-硫硒化銅錫的能帶間隙因相似於硫(硒)化銅鋅錫，且其導帶之位置高於水的還原電位，因此適合做為以光進行水分解產生氫氣的電極材料。此外，受到量子侷限效應的影響，一維…
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本研究利用有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)系統，透過「氣-液- 固」機制及使用金當催化劑，成功地在溫度700oC下分別在藍寶石(脉-Al2O3)、矽基板和氮化鎵上成長氮化鎵的奈米線。我們將氮源由…
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本研究利用有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)系統，將氮源由傳統MOCVD製程中所使用的氨氣(NH3)改為第三丁基聯胺(i-butylhydrazine, TBHy)，來與三甲基鎵(trimethyl…
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關鍵字；氮化銦鎵、奈米線、有機金屬化學氣相沉積 本研究選用在低溫即具有分解能力的聯胺系列化合物－二甲基聯胺(DMHy)來取代反應性低的氨氣(NH3)，同時以分解溫度較低之鎵源－三乙基鎵(TEGa)…
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本論文研究WO3一維奈米線作為電化學陽極觸媒的應用，WO3一維奈米線經由管狀高溫爐成長於碳紙(carbon papaer)載體上，奈米線直徑約為50~200 nm。再藉由氫氣還原過程將WO3奈米線部…
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本研究選用在低溫即具有分解能力的聯胺系列化合物－二甲基聯胺(DMHy)來取代反應性低的氨氣(NH3)作為氮源先驅物，同時以分解溫度較低之鎵源－三乙基鎵(TEGa)，來成長氮化鎵奈米線，期望以TEGa…